基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。

由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。

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晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。

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若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（）

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三极管发射结和集电结均处于反向偏置是（）状态。

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若BJT发射结正向偏置，集电结反向偏置，则BJT处于（）状态。

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晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（）

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当NPN三极管发射结电压小于0V；集电结电压小于0V时，三极管的工作状态是（）。

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当NPN三极管发射结电压大于0.6V，集电结电压小于0.6V时，三极管处于（）。

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