简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。

太阳能电池基片的厚度GaAs为（），a-Si为（）。

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将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。

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由于大多数化合物半导体的能带结构都是（），因此不像间接跃迁的Si那样容易产生太阳能电池特性的放射线（）现象。

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Si、GaAs、InP三种基本半导体材料中，电子迁移率最高的是哪种？最低的是哪种？

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太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。

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试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。

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产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。

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负电子亲和势光电阴极的能带结构如何？它有哪些特点？

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负电子亲合势光电阴极的能带结构如何？它具有哪些特点？

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