核对与轨头侧面不近似垂直的核伤一般采用（）。
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核对与轨头侧面近似垂直的核伤一般采用直校。
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核对与轨头侧面不近似垂直的核伤一般采用斜校。
轨头核伤一般与轨头侧面垂直，如果能使二次波与轨头侧面平行，这对探伤探测不利。
核对轨头擦伤（水平）下的核伤一般采用（）。
核对轨头擦伤（水平）下的核伤一般采用侧校。
使用70°探头，探测轨头核伤，若两侧的反射波位移量相等，说明核伤与轨面垂直。
使用直射70°探头有利于发现轨头（）部位的核伤。
轨面鱼鳞状缺陷极易发展成轨头带帽的核伤。
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