N型半导体中多数载流子是（）

P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。

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半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。

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N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。

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N型半导体中空穴是（）载流子。

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在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。

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P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）

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N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

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N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

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