非晶硅薄膜组件效率不低于（）。

非晶硅薄膜组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。

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单晶硅组件效率不低于（）。

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多晶硅组件效率不低于（）。

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采用的非晶硅组件全光照面积的光电转换效率（以含组件边框面积计算转换效率）不得低于（）。

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金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中，非晶硅薄膜组件衰减率2年内不高于（）。

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采用晶体硅组件的示范项目补助标准为（）元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为（）元/瓦。

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金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中，非晶硅薄膜组件最高限价（）元/峰瓦。

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CIGS薄膜组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。

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结晶硅具有（）型能带结构，因此吸收系数较小，有必要进行封闭，活性层的厚度为数μm的薄膜太阳能电池也可得到高的转换效率。

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