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设晶格常数为a的一维晶格， 导带极小值附近的能量 价带极大值附近 式中m为电子质量，
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设晶格常数为a的一维晶格， 导带极小值附近的能量 价带极大值附近 式中m为电子质量，
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晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
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设晶格常数为a的一维晶格， 导带极小值附近的能量 价带极大值附近 式中m为电子质量，
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设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量EV（k）分别为： 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
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设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为： （1）禁带宽度； （2）导带底电子有效质量； （3）价带顶电子有效质量； （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
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数F（X）为在区间［10，20］内有极小值的单峰函数，进行一维搜索时，取两点13和16，若F（13）
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时域为常数M的信号，其频谱是（）。
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