如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。 判断其表面空间电荷层的状态（多子积累、少子耗尽、少子反型）

P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，代表去强反型的（）。

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P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。

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P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

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硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

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半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。

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n型半导体过渡金属氧化物催化剂和p型半导体过渡金属氧化物催化剂的形成各有哪几种方式？

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P型半导体中的空穴数目多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（）

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P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。

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在纯净的硅中加入（）合成为P型半导体。

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