因晶粒细化，造成晶界面积增加，阻碍了位错的运动造成强化称为（）

在多晶体中，晶界是原子（离子）快速扩散的通道，并容易引起杂质原子（离子）偏聚，同时也使晶界处熔点（）晶粒；晶界上原子排列混乱，存在着许多空位、位错和键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态。

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再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。

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利用振动可以细化晶粒，振幅对晶粒尺寸有明显的影响，随着振幅的增加，细化效果（）。

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多晶体内晶界对塑性变形有较大的阻碍作用，这是因为晶界处原子排列比较紊乱，阻碍了（）的移动，所以晶界越多，多晶体的（）越大。

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金属结晶时晶粒的大小主要决定于其（）的长大速度，一般可通过增加过冷度法或变质处理来细化晶粒.

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晶界有小角度晶界与大角度晶界之分，大角度晶界能用位错的阵列来描述吗？

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位错是（）缺陷、晶界是（）缺陷。

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细化晶粒虽能提高金属的强度，但增大了金属的脆性

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某滑移面上一个位错源开动释放出的位错在晶界处形成位错塞积群对该位错源的开动有何影响，为什么？

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