tgδ测量的影响因素有哪些？

（1）界电磁场的干扰影响：一种是由于存在杂散电容，另一种是由于交变磁场感应出干扰磁场。消除方法：将电桥的低压臂和检流计用金属网和屏蔽电缆线加以屏蔽。
（2）温度的影响：一般tgδ随温度的增高而增大
（3）试验电压的影响：
a、良好绝缘在额定电压下，tgδ值几乎不变。
b、若绝缘存在空隙或气泡时，当所加电压尚不足以使气泡电离时，其tgδ与良好绝缘时无差别，但若所加电压能引起气泡电离或发生局部放电时，tgδ随U的升高而迅速增大，电压回落时电离要比电压上升时更强一些，因而会出现闭环曲线。
c、如果绝缘受潮，则电压较低时，tgδ就已经相当大，电压升高时，tgδ更将急剧增大；电压回落时，tgδ也要比电压上升时更大一些，因而形成了不闭合的分叉曲线。
（4）试品电容量的影响：对于电容量较小的试品，测量tgδ
能有效的发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较大的试品，测量tgδ只能发现整体分布性缺陷，此时要把它分解成几个彼此绝缘部分的被试品，分别测量各部分的tgδ值，能有效的发现缺陷。
（5）试品表面泄漏的影响：由于试品表面泄漏电阻总是与试品等值电阻Rx相并联，所以会影响tgδ值。为了排除或减小这种影响，在测试前应清除绝缘表面的积污和水分，必要时还可以在绝缘表面上装设屏蔽极。

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