列出并描述两种主要的光刻胶。
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给出硅片制造中光刻胶的两种目的。
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
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列出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
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试简述水准仪i角检验方法并列出公式。
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聚乙烯基吡咯烷酮是喷发胶的主要成分。
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请通过课外查找资料，找出氨基酸、多肽或蛋白质类药物中的一个代表药物，并列出其药品名称、成分或结构式、剂型、药理作用和适应症等。
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列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
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