在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。

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微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

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光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。

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集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。

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简述光刻工艺的8个基本步骤。

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晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。

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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

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微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

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