A内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大
B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
C表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱
D用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化
分享
语音搜题
拍照搜题
打赏