单选题

下列有关漏磁通的叙述正确的是()。

A内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大

B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比

C表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱

D用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化

正确答案

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答案解析