单选题
A内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大
B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
C表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱
D用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
正确答案
答案解析
略
相似试题
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的。
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下列有关磁悬液的制作方法的叙述，正确的是（）。
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下列有关磁悬液的制作方法的叙述，是正确的是（）。
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