A是局部除极化电位
B具有"全或无"性质
C是局部超极化电位
D由突触前膜递质释放量减少所致
E由突触后膜对钠通透性增加所致
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
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关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()。
对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()
关于突触前抑制的叙述,正确的是()
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
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