空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。

自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。

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P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。

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P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）

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在半导体中，自由电子和空穴都是载流子。

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按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为（）、（）、（）三类。

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P型半导体材料又称为空穴型半导体，其多数载流子为正电荷.

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N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

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室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s， 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。

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P型半导体材料导电的载流子是空穴。

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