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相似试题
试证由理想导电体制成的、介质填充的波导谐振腔品质因素，式中ε及σ分别为填充介质的介电常数及电导率。
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若在无限大的理想导电体表面涂复一层厚度d=5cm的理想介质。已知左旋圆极化波的电场振幅为2（V/m），频率f=1500MHZ，介质层的εr=4，μr=1当该圆极化波自空气向该多层媒质表面正投射时，试求离介质表面50cm处的合成波电场强度振幅、磁场强度振幅及能流密度矢量。
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当平面波向理想介质边界斜投射时，试证布鲁斯特角与相应的折射角之和为π/2。
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如图，两块位于x=0和x=d处无限大导体平板的电位分别为0、U0，其内部充满体密度的电荷（设内部介电常数为ε0）。 （1）利用直接积分法计算 （2）x=0处导体平板的表面电荷密度。
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P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，代表去强反型的（）。
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根据能量均分定理，单原子分子理想气体的内能为（）
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当孤立的不带电的导体球位于均匀电场E0中，使用镜像法求出导体球表面的电荷分布。（提示：利用点电荷与导体球之间的镜像关系。）
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利用对称要素组合定理，分别推导出常见的10个对称型。
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高压交联电缆导电线芯表面覆盖半导电层，其目的是（）。
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