场效应管放大电路的输入电阻，主要由（）决定

由N沟道耗尽型场效应管组成的电路如下图所示。设UGSQ=-0.2V,   Gm=1.2ms。 试求：  （1）电路中的静态工作点IDQ和UGSQ之值 （2）画出微变等效电路图  （3）电压放大倍数Áu  （4）输入电阻Ri和输出电阻RO

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场效应管与晶体管比较，（）管的热稳定好，输入电阻高，（）管的放大能力强。

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如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA， VDD=16v， RG1=160kΩ，RG2=40kΩ，RG=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。 试求输入电阻Ri、输出电阻Ro

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场效应管共漏极放大电路的信号是从（）

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如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA，VDD=16v，RG1=160kΩ，RG2=40kΩ，RG=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。 试求： （1）静态工作点Q  （2）画出微变等效电路  （3）电压放大倍数Au  （4）输入电阻Ri、输出电阻Ro 

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场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻（），热稳定性（）。

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为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般选用（）放大电路，因此由半导体三极管组成输入级的集成运放，两个输入端的外接电阻应（）。

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场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。

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一个低噪声场效应管放大器，输入等效电容Ci=10pF，输入电阻Ri=1MΩ，栅极电流IG=0.1μA，跨导gm=1mA/V，Cgs《Cc，放大器频带Δf=10MHz，T=290K，1/f噪声可忽略，求输入端等效噪声。

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