场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。

场效应晶体管是用（）控制漏极电流的。

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场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

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电力场效应晶体管有三个引脚，分别为（）、栅极G、漏极D。

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MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。

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晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件。

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晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。

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功率场效应晶体管特点是（）的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自行关断，同时不存在二次击穿，安全工作区宽。

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当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）

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电力场效应晶体管可应用于（）、（）、便携式电子设备等电子电器设备中，但工作电压还不能太高，电流电容也不能太大，所以目前只适用于（）装置。

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