设过载电压U＝4.096v，PAM＝1.7V，按A律13折线编成8bitPCM码，写出编码过程。

设过载电压U＝2048△，PAM=444△，求PCM码，写出编码过程。

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设过载电压U＝2048mv，试对PAM＝－121mv信号按A律13 折线编出其8位PCM码，写出编码过程。

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由N沟道耗尽型场效应管组成的电路如下图所示。设UGSQ=-0.2V,   Gm=1.2ms。 试求：  （1）电路中的静态工作点IDQ和UGSQ之值 （2）画出微变等效电路图  （3）电压放大倍数Áu  （4）输入电阻Ri和输出电阻RO

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设载频fc＝12MHz，载波振幅Ucm＝5V，调制信号uΩ（t）=1.5cos2π×103t，调频灵敏度kf＝25kHz/V，试求：

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设载频fc＝12MHz，载波振幅Ucm＝5V，调制信号uΩ（t）=1.5cos2π×103t，调频灵敏度kf＝25kHz/V，试求：

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设载频fc＝12MHz，载波振幅Ucm＝5V，调制信号uΩ（t）=1.5cos2π×103t，调频灵敏度kf＝25kHz/V，试求：

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设载频fc＝12MHz，载波振幅Ucm＝5V，调制信号uΩ（t）=1.5cos2π×103t，调频灵敏度kf＝25kHz/V，试求：

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设载频fc＝12MHz，载波振幅Ucm＝5V，调制信号uΩ（t）=1.5cos2π×103t，调频灵敏度kf＝25kHz/V，试求：

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设载频fc＝12MHz，载波振幅Ucm＝5V，调制信号uΩ（t）=1.5cos2π×103t，调频灵敏度kf＝25kHz/V，试求：

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