A可控硅加小向阳极电压,控制极加反向电压
B可控大地加厂向阳极电压,控制极不加反向电压
C可控硅加反向阳极电压,控制极加正向电压
D可控硅加反向阳极电压,控制极加反向电压
晶闸管正向阻断时,阳极与阴极间只有很小的正向漏电流。
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晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压,其值低于转折电压。
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感性负载单相半波可控整流电路中,当可控硅导通角α=30O时,续流二极管的额定电流与晶闸管的正向额定电流相比,应满足的关系是()。
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断开控制极后,能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压,称为正向阻断峰值电压。
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可控硅导通条件是()。
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整流二极管是利用二极管的正向特性。
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晶体二极管正向导通的条件是其正向电压值()。
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晶闸管的导通条件是晶闸管加正向电压门极加反向电压。
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三相半波可控整流电路移相范围是()。
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