标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。

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绝缘栅双极型晶体管简称（）。

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双极型功率晶体管与VDMOS的复合器件是（）。

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双极型晶体管的最高速度取决于哪些因素？

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双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（）。

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双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是MCT。

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双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。

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简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么？

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双极型晶体管的EM模型是由谁于哪一年提出的？

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