在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
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热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。
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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
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大学生中发生纠纷的原因很多，但主要表现形式有两种，它们分别是（）。
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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
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