离子注入后进行退火工艺的原因是什么？
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简述离子注入工艺中退火的主要作用？
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
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离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。
离子注入
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