AR4=10000/πΩ tgδ(%)=C4
BR4=1000/πΩ tgδ(%)=C4
CR4=100/πΩ tgδ(%)=C4
使用QS1电桥测量tgδ时,接通或断开电源时,检流计灵敏度应在()。
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使用常规法测量电压互感器的介损tgδ误差较大的原因主要是()。
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测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时,同一绕组的套管()。
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QS1电桥反接线时()都处于高电位情况。
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用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时,其电容量应是整体电容量的()。
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测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ,其绕组一次首尾端短接后加压,其余绕组首尾端短路接地,此方法一般称为()。
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介损tgδ不能发现的缺陷有()。
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绝缘试验时,tgδ随温度增加而()。
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35KV以上的变压器绕组连同套管一起的介质损耗因素tgδ的标准为()。
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