A末端效应
B提离效应
C灵敏度效应
D速度效应
检测探头探到试件上的缺陷时,会使测量绕组发生变化的()。
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波束中心入射到试件探测面的一点叫(),此点到探头楔块前端的一段距离叫探头的(),入射点变化时,此段距离()。
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当探头横向移动时,比探头尺寸小的缺陷所产生的信号幅度会发生起伏变化,这个区域称为()
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用折射角35°的斜探头探测200mm厚的钢试件并使用校正到500mm横波声程的测距范围,即单位标度代表50mm声程时,获得一缺陷回波显示于标度了即相当150mm声程上,求缺陷的垂直距离b和水平距离a。
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用来描述试样与探头线圈之间距离变化引起电磁耦合变化所产生的影响的术语是().
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双晶直探头由于延迟块的存在,避免了始脉冲引起的盲区问题,可以检测近表面缺陷和进行薄板检测。
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磁写是由于被磁化的试件与铁磁材料试件接触而引起。
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在缺陷附近,离开试件进入空气的磁力线叫()
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点探头离试件表面距离变大时,探伤灵敏度()。
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