A半导体二极管;
B晶体三极管;
C场效应晶体管;
D双向晶闸管。
()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。
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半导体有两种导电方式:在外加电场作用下将形成()电流。
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静电场中导体的特点是:在导体表面形成一定面积的电荷分布,是导体内的电场为0,每个导体都成等位体,其表面为()。
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把一导体(或半导体)两端通以控制电流I,在垂直方向施加磁场B,在另外两侧会产生一个与控制()和磁场成比例的电动势,这种现象称(),这个电动势称为()。外加磁场使半导体(导体)的电阻值随磁场变化的现象成磁阻效应。
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当孤立的不带电的导体球位于均匀电场E0中,使用镜像法求出导体球表面的电荷分布。(提示:利用点电荷与导体球之间的镜像关系。)
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光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对,在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负
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CCD的基本构成是()结构,它是利用在电极下SiO2-半导体界面形成的()层进行工作的
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将一个由一对等量异号电荷构成的电偶极子放在非匀强电场中,不仅受一个()作用,发生转动,还要受力的作用,使()发生平动,移向电场强的方向。
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均匀平面波由介质垂直入射到理想导体表面时,产生全反射,入射波与反射波叠加将形成驻波,其电场强度和磁场的波节位置()。
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