同一导电试件，若激励频率提高到原来的九倍，即f2=9f1。则渗透深度应符合（）。

在相同激励频率之下，同一钢试件，磁饱和前后的渗透深度应符合（）。

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以相同条件透照同一工件，若焦距从1米缩短到0.8米，则曝光时间可从原来的5分钟减少到（）分钟

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如涡流探伤的激励频率增加，而场强不变，则试件表面的涡流密度会（）.

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某钢试件，在未进行磁饱和时，渗透深度为1mm，若进行磁饱和后，导磁率降至原来的1%，则此时的渗透深度为（）。

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对方形截面的导电试件，选用涡流探伤时可采用（）。

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再通有交变电流的线圈中放入导电试件时，则在试件中就会有涡流（）。

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如果在穿过式线圈的激励绕组中通以直流电流，则在线圈中的静止试件中（）.

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在涡流探伤中，最佳激励频率区域是（）。

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磁场强度不变，试验频率增加时，则试件表面涡流密度（）.

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