A应变效应
B压阻效应
C压电效应
D横向效应
金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
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金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于:前者利用()引起的电阻变化,后者利用()变化引起的电阻变化。
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金属丝的灵敏系数,其物理意义是:单位应变所引起的电阻相对变化。
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金属应变片工作原理是利用()效应;半导体应变片工作原理是利用()效应。二者灵敏系数主要区别是:金属应变片的电阻变化主要由()引起的,半导体应变片的电阻变化主要由()引起的。
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在外力作用下,金属应变式传感器主要产生几何尺寸变化,而压阻式传感器主要是()发生变化,两者都引起电阻值发生变化。
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金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化,这种现象称()效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同,圆弧部分使灵敏度K下降了,这种现象称为()效应。
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什么是电阻应变片的横向效应?
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金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化,这种现象称应变效应;固体受到作用力后电阻率要发生变化,这种现象称压阻效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同,圆弧部分使灵敏度K下降了,这种现象称为()。
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金属电阻的()是金属电阻应变片工作的物理基础。
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