如果硅光电二极管灵敏度为10μA/μW，结电容为10pF，结电导g=0.004μs，光照功率为5μW时，拐点电压为10V，偏压40V，试求光照信号功率情况下， （1）线性最大输出功率条件下的负载电阻； （2）线性最大输出功率； （3）响应截止频率。

某光电二极管的结电容5pF，要求带宽10MHZ许的最大负载电阻是多少？若输出的信号电流为10μA，在只考虑电阻热噪声的情况下，求T=300K时信噪电流有效值之比。又电流灵敏度如为0.6A/W时，求噪声等效功率。

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硅光电二极管与硅光电池比较，后者（）。

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硅光电二极管与硅光电池比较，前者（）。

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硅光电二极管与硅光电池相比，前者比后者不正确的说法是（）

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采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围（）。

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PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应，还能提高器件的光电灵敏度。

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设PIN光电二极管的量子效率为80%，计算在1.3和1.55μm波长时的响应度，说明为什么在1.55μm光电二极管比较灵敏。

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采用某光电元件测量位移，其结构图如下： 设光电元件的输出为0.01v/mm，放大器的放大倍数为500，该滤波器为1阶系统，时间常数τ＝0.001s，ω＝1/5τ，该记录仪的灵敏度为10mm/v，如果被测位移量最大为0.5mm，问记录纸上记录的幅值偏移是多少？该系统灵敏度是多少？

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现有GDB-423型光电倍增管的光电阴极面积为2cm2，阴极灵敏度Sk为25μA/lm，倍增系统的放大倍数为105，阳极额定电流为20μA，求允许的最大光照。

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