A励磁绕组匝数越多,电感较大,反向磁通建立过程长
B励磁绕组匝数越少,电感较大,反向磁通建立过程长
C电枢绕组匝数多,电感较大,反向磁通建立过程长
D电枢绕组匝数越少,电感较大,反向磁通建立过程长
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