用1M×4的DRAM芯片通过()扩展可以获得4M×8的存储器。
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图4-44所示机构由杆O1A、O2B和三角板ABC组成。已知:杆O1A转动的角速度为ω,O1A=O2B=r,AC=h,O1O2=AB,则图示瞬时点C速度νC的大小和方向为()。
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TN-C及TN-C-S系统中的PEN导体,应满足的条件有( )。
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如图6-18所示水箱排水系统2-2断面管口自由出流,管直径50mm,不计损失,管内流量为()L/s。 A.17.4 B.8.86 C.4.43 D.17.9
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判断如下VHDL的操作是否正确,如不正确,请改正。字符a和b的数据类型是BIT,c是INTEGER,执行c<=a+b。
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试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品tgδ和C测量结果的影响程度是( )
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在图7-32所示电路中,已知:R1=R3=4kΩ,R2=2kΩ,C=2μF,U=20V,换路后电容电流iC的变化规律是()mA。
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图示杆OA以角速度ψ1绕O轴旋转,轮C相对杆以角速度ω2在杆上滚动。轮半径为R,杆长为2l,此瞬时OB=BA。若以轮心C为动点,动系固结在OA杆上,则C点的牵连速度vE为()。
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电路如图7-25所示,已知R=1kΩ,C=2μF,电路对f=500Hz的信号发生谐振,谐振时端口电流为0.1A,电流表的读数最接近于()A。
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