电路如图所示,晶体管T的输出特性如图所示,已知Ucc=20V,Rc=0.5kΩ,晶体管工作在Q点时的IB=200,要求: (1)试计算偏置电阻RB,此时的电流放大系数β,晶体管的集射极电压降UCE。(设UCE=0.6V); (2)若电路中其他参数不变,仅仅改变偏置电阻RB,试将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。
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电路如图1所示,已知:VCC=12V,晶体管饱和管压降UCES=0.5V,电流放大系数β=50,输入信号uI为理想电压源。在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位分别为多少? (1)Rb1短路; (2)Rb1开路; (3)Rb2开路; (4)RC短路; (5)正常情况。
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两级放大电路如图7所示已知 ,晶体管的 ,.
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已知某FET的输出特性如图所示,试判别它是()
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电路如图1所示,设D1,D2均为理想元件,已知输入电压ui=150sinωtV如图2所示,试画出电压uO的波形。
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在如图所示电路中,已知RL消耗功率20W,则理想电压源US供出电功率为()。
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三态输出与非门电路如图所示,已知其输出端Y=0,则其输入端A、B、E的状态分别为()
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已知图P2.8(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。求解电路的Q点和Au。
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如图甲所示,理想变压器原、副线圈的匝数比为10:1,R1=20Ω,R2=30ΩC为电容器。已知通过R1的正弦交流电如图乙所示,则()
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