在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。

在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。

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电流是电荷的定向运动，从微观上看，电流实际上是带电粒子的定向运动，形成电流的带电粒子统称载流子。它们可以是（），在半导体中还可能是带正电的“空穴”。

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在半导体中有两种承载电流的粒子，即载流子，分别是（），这是半导体的特殊性质。

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霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生（）的物理现象。

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空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流，空穴的运动方向与电子的运动方向（），因此认为空穴带正电。

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可控硅元件是由四层半导体构成，有三个PN结，分别是（）。

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PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是（）：即当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。

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BMS即电池管理系统是一种可以管理反复充电电池的电子系统。

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WG120F型电车机组中电池保护器的的超压报警是指电池电压高于（）V后，脱线喇叭一直响。

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