LTE系统采用了上行SC-FDMA和下行OFDMA的多址接入方式。

LTE系统采用了上行OFDMA和下行SC-FDMA的多址接入方式

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LTE系统继承了2G和3G中的功率控制技术，在上行和下行链路中为保证业务质量均使用了功率控制技术。

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上行采用SC-FDMA后，在降低峰均比的同时，也保证了频谱效率。

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对于LTE物理层的多址方案，在下行方向上采用基于循环前缀（Cyclic Prefix，CP）的正交频分复用（Orthogonal Frequency Division Multiplexing，OFDM），在上行方向上采用基于循环前缀的单载波频分多址（Single Carrrier-Frequency Division Multiplexing Access，SC-FDMA）。在上行方向上采用基于循环前缀的单载波频分多址（Single Carrrier-Frequency Division Multiplexing Access，SC-FDMA）。

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对于LTE物理层的多址方案，在下行方向上采用基于循环前缀（Cyclic Prefix，CP）的正交频分复用（Orthogonal Frequency Division Multiplexing，OFDM），在上行方向上采用基于循环前缀的单载波频分多址（Single Carrrier-Frequency Division Multiplexing Access，SC-FDMA）。

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LTE异常干扰包括上行异常干扰和下行异常干扰。其中，下行异常干扰的危害更为严重。

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由于LTE采用了MIMO特性，所以双路室分系统的上下行速率是单路室分系统的两倍。

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目前FDD LTE上行链路预算分析是基于MAPL的分析，下行的分析更多是基于干扰和SINR的分析。

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LTE系统下行功率对系统上行接收产生干扰，此干扰的一个明显特征是基站扇区主集上行RSSI功率值高于分集上行RSSI功率值，关闭功放后，主分集上行RSSI恢复正常；对于用户表现为有信号不能正常接入。

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