简述P型和N型半导体载流子的形成。
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用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
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简述光生伏特效应中正确的是()
对于概率矩阵P,当n→∞时,Pn称之为P的()
简述P型半导体。
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于()。
PN结是如何形成的?它具有什么特性?
以在Ge半导体掺入As为例,简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近?
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