简答题

由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展?

正确答案

在300K和77K温度下,N沟道HEMT的跨导分别达到400mS/mm和800mS/mm;P沟道HEMT的跨导达到170mS/mm或300mS/mm

答案解析

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