绝缘试验时，tgδ随温度的增加而（）。

绝缘试验时，tgδ随温度的增加而减小。

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绝缘体有缺陷时，其介损tgδ将随试验（）升高而变（）。

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绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tgδ将随电压的升高而明显增加。

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当tgδ随温度增加明显增大或试验电压从10kV升到Um/√3，tgδ增量超过±0.3%时，不应继续运行。

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若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近。

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绝缘良好的电气设备，其tgδ值随电压的升高而（）。

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现场用QSI型西林电桥测量设备绝缘的tgδ，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tgδ值大。

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一般电气设备随着绝缘受潮其绝缘电阻下降，泄漏电流增加，介损tgδ值（）。

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一般情况下，变压器油越老化，其tgδ值随温度变化越显著。

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