A对
B错
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
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对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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解释光刻胶选择比,要求的比例是高还是低?
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典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少?
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如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。
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曝光后烘焙,简称后烘,其对传统I线光刻胶是必需的。
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列出并描述两种主要的光刻胶。
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