在用直探头进行水浸法探伤时，探头至探测面的水层距离应调节在使一次与二次界面回波之间至少出现一次（）

在用5MHZΦ10晶片的直探头作水浸探伤时，所测结果：（）

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单晶片直探头接触法探伤中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为：（）

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单晶直探头接触法检测中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为（）。

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厚钢板内部与探测面呈45°倾斜的平滑片缺陷，最有效的探伤方法是单探头横波法。

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在直接接触法直探头探伤时，底波消失的原因是：（）

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由于水中只能传播纵波，所以水浸探头不能进行横波探伤。

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Zr—4包壳管的超声波探伤采用水浸聚焦探头纯横波脉冲回波法。

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下列材料在用旋转点探头进行涡流探伤时，其中一定要采用磁饱和装置的是（）。

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双晶直探头倾角越大，交点离探测面距离愈远，覆盖区愈大。

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