以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺有哪些优缺点？

简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。

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哪种BiCMOS工艺用的较多？为什么？

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什么是BiCMOS？BiCMOS的特点是什么？

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双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。

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BICMOS电路具有（）、（）等优点。

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N-ISDN是以（）为基础，采用（）方式。

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宽度为3m的条形基础，作用在基础底面的竖向荷载N＝1000kN/m，偏心距e＝0.7m，基底最大压应力为：

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简述倒掺杂阱技术的步骤。

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下列关于离子阱的说法哪一个是错误的？（）

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