以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺有哪些优缺点？

工艺中添加了基区掺杂的工艺步骤，这样就形成了较薄的基区，提高了NPN晶体管的性能；
制作NPN管的N阱将NPN管和衬底自然隔开，这样就使得NPN晶体管的各极均可以根据需要进行电路连接，增加了NPN晶体管应用的灵活性；
缺点：NPN管的集电极串联电阻还是太大，影响双极型器件的驱动能力。

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