逸出功Eg=3.0eV的半导体受光照时，计算开始吸收光的最长波长（吸收端波长）.并由此判断这个半导体是否透明。

钨的逸出功是4.52eV，钡的逸出功是2.50eV，分别计算钨和钡的截止频率.哪一种金属可以用作可见光范围内的光电管阴极材料？

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以下一些材料的功函数（逸出功）为： 铍–3.9eV，钯–5.0eV，钨–4.5eV，铯–1.9eV 现要制造能在可见光（频率范围为3.9×1014~7.5×1014Hz）下工作的光电管，在这些材料中应选（）

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已知铯的逸出功为1.88eV。现用波长为300nm的紫外光照射，试求光子的初动能和初速。

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波长为320nm的紫外光入射到逸出功为2.2eV的金属表面上，求光电子从金属表面逸出时的最大速度。若入射光的波长为原来的一半，初涉光电子的最大动能是否增至两倍？

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电子在匀强磁场中作圆周运动，周期为T=1.0⨯10-8s。 （1）求磁感应强度的大小； （2）如果电子在进入磁场时所具有的能量为3.0⨯103eV，求圆周的半径。

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本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV，它能吸收的辐射的最大波长为（）。（普朗克恒量h＝6.63×10-34J·s，1eV＝1.6×10-19J）

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快速腐蚀时一般不受光照影响，而慢速腐蚀时（）影响比较大。

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半径为R1=2.0cm的导体球，外套有一同心的导体球壳，壳的内、外半径分别为R2=4.0cm和R3=5.0cm，当内球带电荷Q=3.0×10-8C=3.0×10-8C时，求： （1）整个电场储存的能量； （2）如果将导体壳接地，计算储存的能量； （3）此电容器的电容值．

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一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。

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