A33.3Ci
B50Ci
C25Ci
D12.5Ci
活度为100Ci的放射源,经过3个半衰期后,其活度为()。
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在距离1米处的剂量率为67.5R/h的50Ci钴60射源(50x1.35=67.5)经过2个半衰期后将衰减为()Ci。
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能量为2 MeV的γ射线源,经过三个半衰期后,其γ射线能量为1MeV。
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某放射源的衰变常数λ=0.0035/天,因为其半衰期为()。
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假定某γ放射源的衰变常数λ=0.021/年,则其半衰期为()。
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钴60的半衰期为5.3年,如该放射源已存放(),则透照时的曝光时间应增加约()。
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用10Ci的铱192放射源在野外对距其1m处厚20mm的钢进行透照拍片,已知该射源的电离常数为0.6rhm/Ci,对钢的半值层为10mm,为了获得2.0黑度的底片需要曝光()。
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假定某放射性同位素的衰变常数λ=0.231/年,则其半衰期为()。
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假定某放射性同位素的衰变的衰变常数λ=0.231每年,则其半衰期为()。
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