ARAM
BFLASH
C动态MOS型RAM
DEPROM
如果一个半导体存储器中有m位地址线,则应有()个存储单元,若输出位数为n位,则其存储容量为()位。
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文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数()才能满足起振条件。
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从信息的存储情况分类,存储器可以分为()两大类。
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一片存储容量为8K的只读存储器ROM芯片应该有()条地址线。
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在大电流系统中,发生单相接地故障时,零序电流和通过故障点的电流在相位上是()。
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RAM的基本结构包含地址译码器、存储矩阵和读写电路三大部分。一个RAM芯片有11个地址输入端,8个数据输出端,则该RAM芯片的容量是()位。
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高压断路器的极限通过电流,是指()。
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通过改变变压器变比,实质上()。
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短路电流通过导体产生热量,引起温度升高,此时应是()。
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