已知谐振功率放大器工作在临界状态,晶体管转移特性的斜率g=10ms,U=0.5V,Eb=-0.5V,Ubm=2V,晶体管输出特性临界饱和线斜率gcr=6.94A/V,Ec=24V。 求(1)导通角θ; (2)输出电压振幅值Ucm
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已知混频器晶体三极管转移特性为:iC=a0+a2u2+a3u3,式中,u=UScosωSt+ULcosωLt,UL>>US,求混频器对于及(ωL-ωS)及(2ωL-ωS)的变频跨导。
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已知图P2.8(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。求解电路的Q点和Au。
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画出PMOS增强型FET的转移特性与输出特性曲线?
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一个JFET 的转移特性曲线如图所示,试问: (1)它是N沟道还是P沟道的FET? (2)它的夹断电压Vp和饱和漏极电流Idss各是多少?
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某气柜内贮存氯乙烯CH2=CHCl(g)300m3,压力为122kPa,温度为300K。求气柜内氯乙烯气体的密度和质量。若提用其中的1003,相当于氯乙烯的物质的量为多少?已知其摩尔质量为62.5g.mol-1,设气体为理想气体
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已知晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导gcr=0.8A/V ,用此晶体管做成的谐振功放电路的Ec=24V ,θ=70° ,Ic max=2.2A ,α0(70°)=0.253 ,α1(70°)=0.436并工作在临界状态。试计算PO ,PS,ηC,Rcp。
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根据场效应管的转移特性,可知场效应管是一种()器件。
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已知某彩色光的R=0.5,G=0.2,B=1.0,计算此彩色光的三要素。
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