室温下，施主浓度为1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。

试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图，并标明半导体表面势V_S的数值。

判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。

计算硅Si的功函数。