A一次绕组对二次绕组及地;
B处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组对二次绕组之间;
C铁芯支架;
D处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组端部对二次绕组端部之间。
画出使用QS1型西林电桥,采用末端屏蔽间接法测量110kV、220kV串级式电压互感器的支架介损tgδ和电容量C的接线图,并写出计算tgδ和C的公式。
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用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映()的绝缘状况。
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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时,其值主要反映()
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用末端屏蔽法测量串级式电压互感器tgδ的具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连;电桥按正接线方式工作
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用末端屏屏蔽法测量串级式电压互感器的tgδ的具体方法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组头尾均短接后与电桥Cx引线相连线;电桥按正接线方式工作。
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采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压,X端和底座接地,二、三次短路后,引入介损仪,采用正接线。
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串级式PTtgδ测量时,常规法要二、三次线圈短接,而自激法、末端屏蔽法、末端加压法却不许短接,为什么?
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用末端加压法测量110kV串极式电压互感器的tgδ,首端A开路,Cx接二次x、xD。
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下面为“末端屏蔽法”测量JCC-110型串级式电压互感器tgδ的试验结果,试计算之,并通过(A)、(B)项结果近似估计支架的电容量CX及tgδ值(忽略瓷套及油的影响)。 (A)X,XD及底座(垫绝缘)接CX线,R4上并联3184Ω,R3=2943Ω,tgδ=4.7%。 (B)X,XD接CX线,底座接地,R4上并联3184Ω,R3=4380Ω,tgδ=1.5%。 (C)底座接CX线,X,XD接地,R4上并联1592Ω,R3=8994Ω,tgδ=16.8%。
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