现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3

现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3 （1）分别计算这三个样品的电子浓度 （2）判别这三个样品的导电类型  （3）计算这三个样品的费米能级的位置

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在室温300K时，已知2CR21型硅光电池（光敏面积为5×5mm）在辐照度为100mW/cm2时的开路电压为Uoc=550mV，短路电流Isc=6mA。试求： （1）室温下，辐照度降到50mW/cm2时的开路电压与短路电流。 （2）用如图所示的偏置电路，其中Rf=24KΩ，若测得此时的输出电压Uo=1V，求此时光敏面上的照度。

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半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体，其分子式为（）。

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室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。

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室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。

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室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。

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