在书写晶体结构缺陷符号时，上标’’表示带（）个电荷。

在书写晶体结构缺陷符号时，上标为•表示带（）个电荷。

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在书写晶体结构缺陷符号时，上标不写表示带（）个电荷。

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试述晶体结构中点缺陷的类型。以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。试举例写出CaCl2中Ca2+置换KCl中K+或进入到KCl间隙中去的两种点缺陷反应表示式。 

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晶体结构中的缺陷在温度为（）时才能生成。

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由于（）的结果，必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”， 组分缺陷的浓度主要取决于（）和（）

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按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。

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矿物分子式的结构式既可以表示矿物物质组成元素的（），也表示原子在结构中的（）。其书写原则是阳离子写在前面，在有多种时按（）由强到弱顺序排列，用（）括起。阴离子写在后面，有多种此类离子时，主要的写在前面。此类型的离子用[]括起

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晶体结构缺陷

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金刚石晶体空间群的国际符号为Fd3m，其中F表示（），d表示（），根据其空间群符号可知金刚石属于（）晶系。

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