K=△I／I表示的定律是（）；S=KlgR表示的定律是（）。

17．K=△I／I表示的定律是（）；S=KlgR表示的定律是（）。

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韦伯定律中的ΔI/I=K，其中K代表（）

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KⅠ的脚标表示I型裂纹，I型裂纹表示（）裂纹。

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ΔI/I=K.差别阈和标准刺激成正比，其比例是一个常数，这是（）

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导体回路中产生的感应电动势εi的大小与穿过回路的磁通量的变化dΦ成正比，这就是法拉第电磁感应定律。在SI中，法拉第电磁感应定律可表示为其中―—‖号确定感应电动势的方向。

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有两个运强磁场区域I和II，I中的磁感应强度是II中的k倍，两个速率相同的电子分别在两磁场区域做圆周运动。与I中运动的电子相比，II中的电子（）

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S=KlogR表示的定律是（）。

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在K[x]中，x-i|f（x）有f（i）=（）。

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一种同时冷却多个芯片模块的方法如附图所示。已知冷凝管内径d＝10mm，外径d0=11mm，水平放置，进水温度为15℃，出水温度为45℃，芯片所产生的热量均通过尺寸为100mmX100mm的沸腾换热表面〔抛光的铜表面）散失掉，其散热率为105w／m2。冷却剂温度ts＝57℃，λi＝0.0535W／（m2·K），Cpi＝1100J／（kg·K），r=84400J／kg，ρi=1619kg/m3，ρv=13.5kg／m3，γ＝8.2×10-3N／m，ηi=440kg×10-6/（m·s），Cwi＝0.013。s＝1.7，Pri=9。管内冷却水的流动与换热已进入充分发展阶段。试确定:平均的冷凝管壁面温度；平均的沸腾表面温度；所需冷却水管的长度。冷凝管壁很薄．导热热阻可以不计。

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