稳压管的反向电压超过击穿点进入击穿区后，电流虽然在很大范围内变化，其端电压变化（）。

硅稳压管必须接反向电压。

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单相桥式整流二极管承受的反向电压与半波整流二极管承受的反向电压相同。

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单相半波可控整流电路中，可控硅所承受的最大反向电压为（）倍整流变压器副边电压。

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单向可控硅A-K之间加反向电压可关断导通着的可控硅。

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一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。

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三相全控桥式整流电路中，可控硅承受的最大正反向电压值为整流变压器副边相电压值U2的（）倍。

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任意两点的电压即为两点之间的电位差，所以电压大小与参考点直接有关。

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由稳压管和串联电阻组成的稳压电路中，稳压管和电阻分别起（）作用。

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稳压管与一般二极管相同的是（）。

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