A1V
B0.2V
C0.6V
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。
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检测小功率晶体三极管的正反向电阻,可以用万用表R×1Ω或R×10KΩ挡。
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测量光电耦合器内的发光二极管时,其正向阻值为()
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判断半桥组件的性能,只需分别检测两只二极管的正、反向电阻即可,一般反向电阻为()
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二极管正向特性测量的方法是()
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如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为15V、内阻为零的电源实行正向连接,电路如图所示,则后果是该管()。
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硅二极管两端典型电压差为()。
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整流二极管的正向电阻越(),反向电阻越(),表明二极管的单向导电性能越好。
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普通晶体二极管的正向导通特性也具有稳定电压的作用。
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